| 2021年11月15日 |
新的纳米布局策略提高神经电极性能高山市Nanoverk新闻入侵和可移植设备应用神经假肢诊断或治疗疾病神经电极是内部组织与外部设备之间的密钥桥梁 |
| 最近 教授深圳高级技术学院WU 天元团队提出了新涂层策略,可提高神经电极性能 |
| 研究发布高级素材接口高山市高性能软电极低调Irium辅助白蚁应用神经界面、水耗解和防微信) |
| 神经电极微小化和集成将提高临床实践电动启发/记录效率界面阻抗力极高,电极缩小,严重减少电极充电存储和注入容量,从而限制实际应用 |
| 基于以上考虑 教授WU集团在前一工作中开发了latinum和irium纳米材料,以提高电性能并有效刺激效率,因为电能和催化特性优异,稳定性强和生物兼容性强。 |
| 在这次研究中,研究者进一步开发花状Pt纳米晶体并加高表层作为积聚低内容IrO的中间层X级加固并显示乘效果 |
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| 应用图解图像:SIAT |
| 对比光Pt相同大小电极IrO阻抗X级Pt花织微电子rode at 1khz下降2krxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx相应的costic充电存储容量和充电注入容量提高到202.75+2.18m-2和6.53+0.16m-2.. |
| IrO系统X级Pt纳米晶体显示强效慢性稳定8循环循环 |
| Pt纳米库和Pt纳米结构加之IrO相同内容X级并显示神经电极电性能显著提高 |
| 值得注意的是,准备式涂层显示良好的生物安全和有前途电阻活动对0.5MH氧进化响应2SO4. |
| IrO系统X级帮助从162.9mVxde-1至41.1mVxde-1极强耐用性经超光速测量 |
| 此外,经过48小时文化后,表层覆盖esherichia大肠杆菌上IrOX级Pt花电极比平面Pt电极低得多,这证实了它潜在的抗菌能力 |
| 策略可应用到神经界面、水氧化、反生物污染中,并预期应用到弹性生物电子和能量存储中,如神经假肢、高效刺激/记录电极和生物传感器以及其他实用应用中。”成治首创 |
