超大单晶体WS2单层

高山市Nanoverk新闻以硅为基础的半导电技术接近性能极限时,高度期望新材料替换或部分替换技术中的硅
最近 石墨之物的兴起二维2D素材提供新平台建设下一代半导电技术其中包括过渡金属二构化物(TMDs),如MOS2WS系统2微信2WSE2最有吸引力2D半导体
超大规模高性能半导电路的一个先决条件是基础材料必须是单晶度瓦标,就像今天使用硅瓦法一样千兆位单晶片增长投入了巨大的努力,但成功率一直非常有限,直到现在。
杰出Feng Ding教授及其研究团队报告2英寸单晶片WS直接增长2单层片程近除WS2研究队还展示单晶模数增长2WSE2和MOSE2瓦法尺度中也是如此
单晶WS2
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关键自定义生长大单晶体技术是确保基数上所有小单晶体统一对齐TMD非中心对称结构或TMD镜像对面对齐,我们必须通过仔细设计基数打破对称性
基于理论计算 作者建议机制 双联导后缀增长WS系统2saphire平面交互作用第一驱动力,2诸岛
WS联动2蓝宝石阶梯第二驱动力 破解两种抗偶向导的退化性TMD单晶体生长基底带阶梯均单向对齐,最后这些小单晶体联结导致大单晶体与基底大小相同
新的双对加法机制新开发可控材料原则上,它允许我们发现所有2D素材都生长成大片单晶体通程,研究首创论理上我们思考了 如何选择合适的子串第一,基底应低对称性,第二,多步边缘优先选取。”自然纳米技术,双相交引导单晶度WS上表增长2单层平面蓝宝石)
WS2岛平面蓝宝石图
a-b,WS图解2平面蓝宝石岛 有两种偏向抗平行C-d单向对齐WS2岛边平面蓝宝石逐步生长图片基础科学学院
二维材料基础设备领域向前迈出一大步光学设备高端应用2D半导体关键词解析Feng Ding教授
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